半导体指标浓度测试

检测项目

1.掺杂元素浓度：硼浓度，磷浓度，砷浓度，锑浓度，镓浓度。

2.杂质元素浓度：铁浓度，铜浓度，镍浓度，钠浓度，钾浓度。

3.载流子浓度：电子浓度，空穴浓度，表面载流子浓度，体载流子浓度，载流子分布均匀性。

4.氧碳含量浓度：间隙氧浓度，替位碳浓度，总氧含量，总碳含量，厚度方向分布。

5.薄膜成分浓度：介质层元素含量，金属层元素含量，阻挡层成分浓度，钝化层成分比例，薄膜杂质浓度。

6.外延层浓度分布：外延层掺杂浓度，层间浓度梯度，峰值浓度，结深分布，面内均匀性。

7.离子注入剂量浓度：注入总剂量，峰值浓度，残留离子浓度，横向扩散浓度，深度分布。

8.表面污染物浓度：金属污染浓度，颗粒污染浓度，有机残留浓度，离子残留浓度，氧化残留浓度。

9.湿法工艺介质浓度：清洗液有效成分浓度，刻蚀液活性组分浓度，抛光液颗粒浓度，添加剂浓度，金属杂质浓度。

10.光刻相关残留浓度：光刻胶残留浓度，显影残留浓度，底部残留浓度，边缘残留浓度，清洗后残留浓度。

11.蚀刻后副产物浓度：卤素残留浓度，金属副产物浓度，非金属沉积浓度，反应残留浓度，表面再沉积浓度。

12.封装材料析出物浓度：离子析出浓度，挥发残留浓度，金属迁移物浓度，助焊残留浓度，界面污染物浓度。

检测范围

单晶硅片、外延硅片、碳化硅晶片、氮化镓晶圆、砷化镓晶圆、绝缘薄膜、金属薄膜、阻挡层薄膜、钝化层薄膜、离子注入片、扩散片、芯片裸片、功率器件晶圆、传感器芯片、封装基板、键合材料、光刻胶、清洗液、刻蚀液、抛光液

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于分析样品表面及深度方向的元素浓度分布，适合微区痕量成分测定。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定痕量金属杂质浓度，适合高灵敏度多元素定量分析。

3.辉光放电质谱仪：用于块体材料和薄膜的元素含量测定，可进行快速深度剖析。

4.傅里叶变换红外光谱仪：用于测定晶体材料中的氧碳含量及相关化学键特征，适合纯度评价。

5.四探针测试仪：用于测量片电阻并换算掺杂相关电学浓度，适合晶圆面内均匀性测试。

6.霍尔效应测试系统：用于测定载流子浓度、迁移率和导电类型，适合半导体电学参数分析。

7.原子吸收分光光度计：用于测定溶液样品中的金属元素浓度，适合工艺介质和萃取液分析。

8.紫外可见分光光度计：用于分析溶液中目标组分浓度变化，适合清洗液和刻蚀液成分测定。

9.椭偏测厚仪：用于测量薄膜厚度与光学常数，辅助测试薄膜成分变化及浓度均匀性。

10.表面粒子计数器：用于检测晶圆及材料表面的颗粒污染水平，适合表面洁净度与污染浓度测试。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.